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  • 型号: IPA045N10N3 G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPA045N10N3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA045N10N3 G价格参考。InfineonIPA045N10N3 G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPA045N10N3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPA045N10N3 G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FPMOSFET N-KANAL POWER MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

64 A

Id-连续漏极电流

64 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPA045N10N3 GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPA045N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122600237f57ece

产品型号

IPA045N10N3 G

Pd-PowerDissipation

39 W

Pd-功率耗散

39 W

Qg-GateCharge

28 nC

Qg-栅极电荷

28 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

47 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 150µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

8410pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

117nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.5 毫欧 @ 64A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO220-FP

其它名称

IPA045N10N3G
IPA045N10N3GXKSA1
SP000478912

典型关闭延迟时间

50 ns

功率-最大值

39W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

64A (Tc)

系列

IPA045N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPA045N10N3GXKSA1 SP000478912

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